Showing 16 of 16 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQE008N03LM5SCATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs IFX FET 15V-30V | Other | IQE008N03LM5SCATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET | Other | IQE004NE1LM7ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET OptiMOSTM5Power-Transistor,25V | Other | IQE006NE2LM5ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs TRENCH <= 40V | Other | IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon
|
1 | Power MOSFET, N Channel, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Surface Mount | Other | IQE006NE2LM5SCATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE008N03LM5ATMA1
Infineon
|
1 | N-Channel 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4 | Other | IQE008N03LM5ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5CGATMA1
Infineon
|
1 | OPTIMOS 25V LOW-VOLTAGE POWER MOSFET IN PQFN 3.3X3.3 SOURCE-DOWN CENTER-GATE PACKAGE WITH INDUSTRY LEADING RDS(ON) - Trays | Other | IQE006NE2LM5CGATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE008N03LM5CGSCATMA1
Infineon
|
1 | OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate DSC package | Other | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon
|
1 | Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R | Other | IQE006NE2LM5CGSCATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5CG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IQE006NE2LM5CG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 379A I(D), 15V, 0.00045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE004NE1LM7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5CGSC
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 310A I(D), 25V, 0.00075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE006NE2LM5CGSC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE006NE2LM5
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 298A I(D), 25V, 0.0008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE006NE2LM5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 379A I(D), 15V, 0.00045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE004NE1LM7CG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7SC
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 379A I(D), 15V, 0.00045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE004NE1LM7SC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSC
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 379A I(D), 15V, 0.00045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IQE004NE1LM7CGSC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||