Showing 25 of 430 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610PBF
Vishay
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1 | IRF610PBF | Transistor Outline, Vertical | IRF610PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610PBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 200V N-CH HEXFET | Transistor Outline, Vertical | IRF610PBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610
Texas Instruments
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1 | IRF610 | IRF610 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF610-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF610A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF615-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF615-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF613
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF615-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF615-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614SR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF614SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF610-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614-002PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF615-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF615-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF611-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF611-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614FXPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614FXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6156
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6156 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF611
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF611
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-220AB | IRF611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF612-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF612-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF610-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF615
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF615 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF612-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF612-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF615-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF615-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF614-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||