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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
STMicroelectronics
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1 | Dynamic dV/dt Rating• Repetitive Avalanche Rated• Fast Switching• Ease of Paralleling• Simple Drive Requirements• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | Transistor Outline, Vertical | IRF730 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF730 |
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IRF730
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
onsemi
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0 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Texas Instruments
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1 | IRF730 | IRF730 |
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IRF730
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | IRF730 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Micro Electronics Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF730 |
0
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IRF730
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Micro Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF730 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||