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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7Y1405CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.0153ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7Y1405CMPBF |
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IRF7YSZ44VCMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7YSZ44VCMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7YSZ44VCM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7YSZ44VCM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7YSZ44VCMSCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7YSZ44VCMSCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7Y1405CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.0153ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7Y1405CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7YSZ44VCMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7YSZ44VCMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7YSZ44VCMSCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7YSZ44VCMSCX |
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IRF7Y1405CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.0153ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF7Y1405CM |
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