Showing 25 of 64 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF822 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF822 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF822 |
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IRF822
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822R
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF822R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-012 |
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