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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9952TRPBF
Infineon
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1 | IRF9952TRPBF Dual N/P-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon | Small Outline Packages | IRF9952TRPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910TRPBF
Infineon
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1 | IRF9910TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V IRF9910, 8-Pin SO Infineon | Small Outline Packages | IRF9910TRPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956PBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRF9956PBF - MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8, 50V, 3A | Small Outline Packages | IRF9956PBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9953TRPBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.3 A, -30 V, 0.165 ohm, -10 V, -1 V | Small Outline Packages | IRF9953TRPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9956TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910PBF
Infineon
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1 | Infineon IRF9910PBF Dual N-channel MOSFET, 10 A, 12 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC | IRF9910PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9953
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9953 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9953
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9953 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910PBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9910PBF-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9952TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910PBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF9910PBF-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF9956 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF9956 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF9952PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0093ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF9910 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956TR
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | IRF9956TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952QPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8 | IRF9952QPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952PBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF9952PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9952 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9956TRPBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | IRF9956TRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9910TRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9952QTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF9952QTRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF9910TRPBF-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0093ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF9910PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9910TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET | IRF9910TRPBF-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||