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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG40
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG40PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG40PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG42
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFAG42 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG22
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFAG22 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.3A, 1000V, 6.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG42
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRFAG42 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 5.6A, 1000V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | IRFAG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG52
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, | IRFAG52 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | IRFAG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG40
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.9A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG20
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.3A, 1000V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRFAG20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG40
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFAG40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50PBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG50PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFAG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG30
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFAG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG50PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG50PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG52
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFAG52 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG20
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1000V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRFAG20 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFAG40
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRFAG40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||