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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1405PPBF
Infineon
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1 | IRFBA1405PPBF N-Channel MOSFET, 174 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-273AA Infineon | Other | IRFBA1405PPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 212A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404PBF |
0
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IRFBA31N50LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 500V, 0.152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA31N50LPBF |
0
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IRFBA32N50K
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA32N50K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA31N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 500V, 0.152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA31N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA35N60C
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA35N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA31N50L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 500V, 0.152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA31N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA90N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA90N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA32N50KPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA32N50KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA1404P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 212A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA32N50KPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA32N50KPBF |
0
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IRFBA34N50C
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA34N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA34N50CPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA34N50CPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 212A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA22N50APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA22N50APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA90N20DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA90N20DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA35N60CPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA35N60CPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA34N50CPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA34N50CPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1405PPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 174A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1405PPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404P
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA1404P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404PPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404PPBF |
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IRFBA1405P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA1405P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA31N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 500V, 0.152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA31N50LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1405P
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA1405P |
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