Showing 25 of 218 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20PBF
Vishay
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1 | Vishay IRFBE20PBF N-channel MOSFET Transistor, 1.8 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRFBE20PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30PBF
Vishay
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1 | MOSFET 800V N-CH HEXFET | Transistor Outline, Vertical | IRFBE30PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30PBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET | Transistor Outline, Vertical | IRFBE30PBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-019
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-007PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 800V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE32-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30STRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||