Showing 25 of 202 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30PBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 1000V N-CH | Transistor Outline, Vertical | IRFBG30PBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30PBF
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRFBG30PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1000V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG20-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.1A, 1000V, 6.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG32-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.1A, 1000V, 6.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG32-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||