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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL3703
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL3703 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL3703PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL3703PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL18N50K
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL18N50K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL3703PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL3703PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL18N50KPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL18N50KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL18N50K
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL18N50K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL3703
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL3703 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL10N60A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL10N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL10N60APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL10N60APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL12N50A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL12N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL18N50KPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRFBL18N50KPBF |
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