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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210PBF
Vishay
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1 | VISHAY - IRFD210PBF - Power MOSFET, N Channel, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Through Hole | Dual-In-Line Packages | IRFD210PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220PBF
Vishay
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1 | MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI | Dual-In-Line Packages | IRFD220PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD224
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD212
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Rochester Electronics LLC
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1 | 600mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD214PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD214PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD214
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD214PBF
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD214PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD211
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220PBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD211R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||