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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE230
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE230 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE210 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE220PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE210E4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE210-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE210PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE230-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCXPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.8A, 200V, 0.46ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE230-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.92ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE220 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE210E4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.92ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE220-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE210 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.8A, 200V, 0.92ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE220-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCVPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCVPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE210-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCSPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE210 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.8A, 200V, 0.92ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE220 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.8A, 200V, 0.92ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE220E4 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE210-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE220 |
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