Showing 25 of 214 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205PBF
Infineon
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1 | MOSFET IRFI3205PBF 55V 64A 0.008R N Channel 55V TO-220FP TH | Transistor Outline, Vertical | IRFI3205PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-101PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-101PBF |
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IRFI3205-106PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-106PBF |
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IRFI3710-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-002PBF |
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IRFI3710-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-111
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-111 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-107PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-107PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3710-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3710-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-103PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-103PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3710-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3710-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-110PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-110PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3205-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3205-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3710-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI3306GPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3306GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI360D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | IRFI360D |
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IRFI3710-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-018PBF |
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IRFI3710-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI3710-019PBF |
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IRFI3205-105
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI3205-105 |
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