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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315TRPBF
Infineon
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1 | International Rectifier IRFL4315TRPBF N-channel MOSFET Module, 2.6 A, 150 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRFL4315TRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105TRPBF
Infineon
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1 | N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRFL4105TRPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310PBF
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 100V 2.2A SOT223 International Rectifier IRFL4310PBF N-channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 100 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | IRFL4310PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310TRPBF
Infineon
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1 | IRFL4310TRPBF N-Channel MOSFET, 2.2 A, 100 V IRFL4310PbF, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon | SOT223 (3-Pin) | IRFL4310TRPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105HR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105HR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL41N15DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL41N15DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4315TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4315PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310TR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4310TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL41N15D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL41N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310PBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4310PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310TRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4310TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL41N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL41N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL41N15DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL41N15DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4310
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4315PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4315 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4105
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFL4315
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFL4315 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||