Showing 25 of 77 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM064PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044-JQR-B |
0
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IRFM064CSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM064CSCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM054
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054 |
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IRFM054-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM054R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054R1 |
0
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IRFM010
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM010 |
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IRFM044DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044DPBF |
0
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IRFM054U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM054U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054U |
0
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IRFM054SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054SCV |
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IRFM044-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM064UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM064UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM054-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM054-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044SCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044SCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM044UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM044UPBF |
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IRFM014A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | IRFM014A |
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IRFM064UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM064UPBF |
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IRFM054DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM054DPBF |
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