Showing 25 of 114 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM240
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc
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1 | POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254A) 200V N-Channel | Transistor Outline, Vertical | IRFM240 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM220AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM220AL99Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 27.4A, 200V, 0.105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN | IRFM250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 27.4A, 200V, 0.105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN | IRFM250R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | IRFM260 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 27.4A, 200V, 0.105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN | IRFM250-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-QR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM254-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 23A, 250V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM254-QR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 27.4A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | IRFM250-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260SCV
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | IRFM260SCV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM220BS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM220BS62Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM214BTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM214BTF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRFM240PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | IRFM240D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM210B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, S0T-223, 4 PIN | IRFM210B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM210AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM210AD84Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM250U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRFM250U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM254R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 23A, 250V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM254R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM214BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM214BTF_FP001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 18A, 200V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM240-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM240
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | IRFM240 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM210BTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM210BTF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM260U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM260U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM220AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM220AS62Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFM254-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM254-QR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||