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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350-JQR-BR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350-JQR-BR4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN34SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN34SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340SMD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340SMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340SMD-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340SMD-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN3710PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710R4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN3710R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340SMD-JQR-BR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340SMD-JQR-BR4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 11A, 400V, 0.415ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFN350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN34SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 10A, 400V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | IRFN34SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350-JQR-BR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350-JQR-BR4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN3710-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN3710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7.5A, 400V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN | IRFN340-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340SMDR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 10A, 400V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | IRFN340SMDR4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN340R4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN340R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN3710-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN350R4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN350R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710R4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN3710R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN3710
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN3710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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