Showing 25 of 79 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9140R4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9140R4 |
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IRFN9140R4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9140R4 |
0
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IRFN9140SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9140SM |
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IRFN9240
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9140
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9140 |
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IRFN9130R4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9130R4 |
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IRFN9240SMD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9240SMD |
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IRFN9240-JQR-BR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9240-JQR-BR4 |
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IRFN9530R4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9530R4 |
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IRFN9130SMD05
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9130SMD05 |
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IRFN9540
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA | IRFN9540 |
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IRFN9530SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9530SMD-JQR-B |
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IRFN9140SMD-JQR-BR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9140SMD-JQR-BR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9130SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9130SM |
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IRFN9530SMD.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9530SMD.MOD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9140PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9140PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9240
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9240 |
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IRFN9034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9034 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9140SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9140SMD-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9240SMD-JQR-BR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9240SMD-JQR-BR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9140
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9140 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9240PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFN9240PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9530.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9530.MOD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFN9240R4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9240R4 |
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IRFN9530
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRFN9530 |
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