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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG50PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG50PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG40PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG40PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG40PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG40PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG50SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG50SCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG40
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG40SCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG40SCX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG50PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG50PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG50
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG40SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG40SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFNG50SCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFNG50SCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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