Showing 25 of 62 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS151
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.5A I(D), 80V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS151 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS140
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50ATRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS11N50ATRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS150
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.5A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS132
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS132 |
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IRFS140A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS140A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50ATRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRRPBF |
0
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IRFS11N50ATRRP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS131
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS131 |
0
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IRFS150A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS150A |
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IRFS143
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS143 |
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IRFS17N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DPBF |
0
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IRFS1Z0
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS1Z0 |
0
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IRFS11N50ATRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRR |
0
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IRFS1Z0TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50APBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS11N50APBF |
0
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IRFS1Z3TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z3TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50APBF
Vishay
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1 | IRFS11N50APBF, N-channel MOSFET Transistor 11 A 500 V, 3-Pin D2PAK | IRFS11N50APBF |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRLPBF |
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IRFS11N50A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRL |
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IRFS1Z3TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z3TR |
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