Showing 25 of 120 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU2905ZPBF
Infineon
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1 | N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA) | Transistor Outline, Vertical | IRFU2905ZPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU220BTU-AM002
onsemi
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1 | Last Shipments - Discrete MOSFET | Transistor Outline, Vertical | IRFU220BTU-AM002 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU220NPBF
Infineon
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1 | 200V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A I-PAK PACKAGE | Transistor Outline, Vertical | IRFU220NPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU24N15D
Infineon
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1 | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package | Transistor Outline, Vertical | IRFU24N15D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU212
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU224PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU224PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU210BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU210BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU224PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU224PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU224A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU224A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU2307ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU2307ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU230ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU230ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU2405
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU2405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU210BTU_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU210BTU_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU210A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU210A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU230BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU230BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU214A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU214A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU222
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU234B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU234B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU230B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU230B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU2307Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU2307Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU211
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU220B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU220B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU220PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU220PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU230A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU230A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||