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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY120C-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120C-JQR-BR1 |
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IRFY120ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120ED |
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IRFY140CSCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY140CSCS |
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IRFY130CMSCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY130CMSCX |
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IRFY110C
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY110C |
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IRFY120-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY120-QR-B |
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IRFY120EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120EPBF |
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IRFY120EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120EAPBF |
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IRFY130C-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY130C-JQR-BR1 |
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IRFY120MEB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120MEB |
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IRFY120C
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120C |
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IRFY140CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY140CMPBF |
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IRFY140CR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY140CR1 |
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IRFY141
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY141 |
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IRFY140ME
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY140ME |
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IRFY130EBPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY130EBPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY120C-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120C-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY140CPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY140CPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY140-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY140-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY130MEC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY130MEC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY140EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY140EC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY130-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY130-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY141
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY141 |
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IRFY1310M-T257
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY1310M-T257 |
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IRFY120MED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY120MED |
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