Showing 25 of 183 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430EAPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 3.7A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB | IRFY430EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY430CMPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440MEDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.5A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB | IRFY440MEDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440MEB
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440MEB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CSCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440CSCXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440-T257
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440-T257 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CM
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | IRFY440CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430M-T257R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | IRFY430M-T257R1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430MEBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430MEBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430MEDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 3.7A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB | IRFY430MEDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440C-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, TO-220MC, 3 PIN | IRFY440C-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CMSCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CMSCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY430-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CMSCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CMSCX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 5.5A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFY440 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CSCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440CSCX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CMPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430C
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.7A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFY430M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440ME
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440ME |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440
Thomson-CSF Compsants Specific
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY440 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CMSCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CMSCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430M
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN | IRFY430M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440C-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, TO-220MC, 3 PIN | IRFY440C-JQR-BR1 |
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