Showing 25 of 314 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140CMSCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140CMSCXPBF |
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IRFY9140C
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140C |
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IRFY9240EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240EBPBF |
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IRFY9130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9130 |
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IRFY9140CMSCX
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140CMSCX |
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IRFY9140MEAPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140MEAPBF |
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IRFY9240EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240EC |
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IRFY9130C-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130C-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9120ME
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120ME |
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IRFY9120-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120-JQR-B |
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IRFY9240ME
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240ME |
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IRFY9140EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140EPBF |
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IRFY9140E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140E |
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IRFY9120MEDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120MEDPBF |
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IRFY9140PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9120MECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120MECPBF |
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IRFY9130CMSCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9130CMSCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9120MEA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120MEA |
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IRFY9240
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.51ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140C-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140C-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9240MEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240MEPBF |
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IRFY9130EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130EPBF |
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IRFY9240-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.51ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240-JQR-B |
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IRFY9140EDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140EDPBF |
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IRFY9130-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY9130-JQR-B |
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