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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC10UD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC10UD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30SPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30FDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30FDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30SPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20KDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20WPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20WPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20W
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC10UDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC10UDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20UDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20UDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20FD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20FD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30WPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30WPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30KD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30UD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30UD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC10UDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC10UDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30W
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30S
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | IRG4IBC30S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20WPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20WPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20W
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20FDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20FDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30UD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30UD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30KDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30KDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC30FD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC30FD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRG4IBC20KD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | IRG4IBC20KD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||