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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE53034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE53034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE53Z30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE53Z30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE5130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHE5130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57Z30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57133SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57133SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58Z30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE53034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE53034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58034PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE54034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE54034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE54034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE54034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE54Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE54Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE54Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE54Z30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57133SEPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57133SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57Z30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57Z30SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57Z30SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58034 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE57034PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE57034PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE58Z30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE58Z30PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE53034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE53034 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHE54034PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE54034PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||