Showing 21 of 21 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHE7130
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7130SCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHE7110SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7130SCSPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130SCSPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7110PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7130PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230SCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7130
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230SCSPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230SCSPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7110PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7110SCV
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHE7110SCV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7130PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7130PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE7230PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE7230PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE4110SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHE4110SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE3110SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHE3110SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHE4130
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHE4130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||