Showing 11 of 11 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHF4230
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF4230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4130PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4130PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4110PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4110PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4230
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF4230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4130
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4110
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4130PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4130PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4110
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4130
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF4130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4230PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRHF4230PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHF4110SCS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHF4110SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||