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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF67130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.065ohm, 3-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF67130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF63130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.065ohm, 3-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF63130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF63230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHF63230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF67230SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 200V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF67230SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF67230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHF67230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF63234
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IRHF63234 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF63230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHF63230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF6S7230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 200V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF6S7230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF67230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHF67230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF6S3230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 200V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF6S3230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHF67234
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRHF67234 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||