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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG7970Z4
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7970Z4 |
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IRHLG77110
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG77110 |
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IRHLG7S7214SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S7214SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG73214
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG73214 |
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IRHLG73214
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG73214 |
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IRHLG7S3214SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S3214SCS |
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IRHLG7930Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7930Z4 |
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IRHLG73110
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG73110 |
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IRHLG7630Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7630Z4 |
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IRHLG77214
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG77214 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG77110
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG77110 |
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IRHLG7S3214
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S3214 |
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IRHLG7970Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7970Z4 |
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IRHLG770Z4
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG770Z4 |
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IRHLG7S7214
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S7214 |
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IRHLG7630Z4
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7630Z4 |
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IRHLG7S7110
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S7110 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG77214
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG77214 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG7S3110
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7S3110 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG7930Z4
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7930Z4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG730Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG730Z4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHLG73110
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG73110 |
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IRHLG7670Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG7670Z4 |
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IRHLG730Z4
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG730Z4 |
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IRHLG770Z4
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | IRHLG770Z4 |
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