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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BIR-HM235A-TRB
American Bright LED
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1 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 50mA 0.32mW/sr @ 50mA 120° 0805 (2012 Metric) | Other | BIR-HM235A-TRB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SEU
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM2C50SEU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SED
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM2C50SED |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM250
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SEDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM2C50SEDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM2C50SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SEUPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM2C50SEUPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM2C50SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM2C50SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM250
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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