Showing 25 of 68 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3230U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3250
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3150UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3150UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3230D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3Z60PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3Z60PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3054D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3054D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3230U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3230PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3250U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3250U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3150U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3150U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3064
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3450
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3450 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3054
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3054 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3150PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3160D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3160D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3150
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3150 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3260PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3260DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3260DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3160UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM3160UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM3130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM3130 |
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