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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK597160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK597160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK54160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK54160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57260SEPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57260SEPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57260SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57260SE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK53160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK53160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK58160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK58160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK58160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK58160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK593160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK593160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK593160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK593160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK54160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK54160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK58130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMK58130 |
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IRHMK593160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK593160PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK55160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMK55160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK597160SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK597160SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK597160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK597160PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57260SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57260SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK597160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK597160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK53160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK53160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK597160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK597160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57260SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57260SE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMK57160SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHMK57160SCS |
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IRHMK593160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMK593160 |
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