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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93150PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93150PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9250
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93250
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93250
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9250PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93150
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN93150
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN93150 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9250
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9250 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHN9150SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHN9150SCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||