Showing 25 of 46 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS597064
Infineon
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1 | -60V 100kRad Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SupIR-SMD package | Other | IRHNS597064 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS67160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS67160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS57160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS57160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS67264
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS67264 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS55160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS55160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS593160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS593160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS7460SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS7460SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS63160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS63160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS57Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS57Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS9A3160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS9A3160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS67260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS67260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS597Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS597Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS57163SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IRHNS57163SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS9A7064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS9A7064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS53064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS53064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS65260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS65260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS67164
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNS67164 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS597160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS597160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS9A97064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS9A97064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS55064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS55064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS593064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS593064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS9A93160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 100V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS9A93160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS53160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS53160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS9A7264
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 250V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS9A7264 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNS67264SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNS67264SCS |
0
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