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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9230CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9230CMPBF |
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IRHY9230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9230CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY93230CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9230CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9230CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93230CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY93230CMPBF |
0
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IRHY93130CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY93130CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9130CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9130CMPBF |
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IRHY9230CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9230CM |
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IRHY9130CMSCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9130CMSCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9130CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9130CMPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93230CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY93230CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93130CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY93130CMPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9230CMSCSA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IRHY9230CMSCSA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9130CMSCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9130CMSCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9130CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9130CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9130CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9230CMSCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9230CMSCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY93130CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY9230CMSCSPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9230CMSCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93130CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY93130CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHY93230CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY93230CMPBF |
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IRHY9230CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | IRHY9230CMSCS |
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IRHY9230CMSCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHY9230CMSCS |
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