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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67230CM
Infineon
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1 | Radiation Hardened Power MOSFET Thru-Hole (Low-Ohmic TO-257AA) 200V, 16A, N-channel, R6 Technology | Other | IRHYS67230CM |
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IRHYS593034CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593034CMPBF |
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IRHYS6S7130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS6S7130CM |
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IRHYS9A93130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A93130CM |
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IRHYS597Z30CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597Z30CMPBF |
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IRHYS67234CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67234CMSCS |
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IRHYS67230CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67230CM |
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IRHYS6S7234CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS6S7234CM |
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IRHYS9A97230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A97230CM |
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IRHYS597034CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597034CM |
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IRHYS67230CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67230CMSCS |
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IRHYS67230C
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67230C |
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IRHYS67130CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67130CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS6S7230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS6S7230CM |
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IRHYS67134CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67134CMPBF |
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IRHYS9A97034CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A97034CM |
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IRHYS63230CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63230CM |
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IRHYS6S7130CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS6S7130CMSCS |
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IRHYS593Z30CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593Z30CM |
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IRHYS67130CMSCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67130CMSCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63234CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63234CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67130CSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67130CSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS593Z30CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593Z30CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63230CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63230CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63134CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS63134CMSCS |
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