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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM110A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120ATF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120ATF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110ATF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM110ATF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM110A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120ATF-Q
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120ATF-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110A
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM110A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110ATF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.5A, 100V, 0.44ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRLM110ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM110ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM110ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLM120ATF
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLM120ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRLM120A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRLM120A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRLM110A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRLM110A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||