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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS531
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS531 |
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IRLS540A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS540A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS540
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS540 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS541
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 80V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS541 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS530A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS530A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS521
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS521 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS540A
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRLS540A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS510A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS510A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS530
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS530 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS511
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 80V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS511 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS540A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS540A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS510A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS510A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS520A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS520A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS520A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS520A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS530A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS530A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS520
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS520 |
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IRLS510
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS510 |
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