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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC26N50P
LITTELFUSE
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1 | l Silicon chip on Direct-Copper-Bondsubstrate- High power dissipation- Isolated mounting surface- 2500V electrical isolationl Low drain to tab capacitance(<30pF) | Transistor Outline, Vertical | IXFC26N50P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC26N50Q
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC26N50Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC26N50Q
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC26N50Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC24N50Q
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC24N50Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC26N50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC26N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC24N50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC24N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC20N80P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC20N80P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC22N60P
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC22N60P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC20N80P
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC20N80P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC26N50P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC26N50P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFC22N60P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFC22N60P |
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