Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7269
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7269 |
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JANSG2N7394
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7394 |
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JANSG2N2906AUA
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | JANSG2N2906AUA |
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JANSG2N7493T2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSG2N7493T2 |
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JANSG2N7433
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7433 |
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JANSG2N3904AUB
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0002A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N3904AUB |
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JANSG2N7433
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7433 |
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JANSG2N2907AUB
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | JANSG2N2907AUB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7380
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7380 |
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JANSG2N2221AL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA | JANSG2N2221AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AL
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N2222AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7380
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7380 |
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JANSG2N7482T3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7482T3 |
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JANSG2N3507A
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.003A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N3507A |
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JANSG2N7467U2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7467U2 |
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JANSG2N2221A
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA | JANSG2N2221A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7269
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7269 |
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JANSG2N2221AUBC
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N2221AUBC |
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JANSG2N7381
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7381 |
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JANSG2N7484T3
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7484T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7281
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7281 |
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JANSG2N7270U
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7270U |
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JANSG2N7478T1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7478T1 |
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JANSG2N7268
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7268 |
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JANSG2N7261U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7261U |
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