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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LV2R2M050B5R5
Capxon Electronic Technology Co Ltd
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2.2uF | LV2R2M050B5R5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFNF05LV-2R2-M
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 2.2ohm, 150V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HFNF05LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FNF05LV-2R2-M
Prosperity Dielectrics Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 2.2ohm, 150V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | FNF05LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FLV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211503FLV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB212503FLV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB212503FLV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ELV2R2M63
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2.2uF | ELV2R2M63 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ELV2R2M50RA
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2.2uF, Surface Mount, 1717 | ELV2R2M50RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB192503FLV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB192503FLV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB212503FL-V2-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB212503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FNF03LV-2R2-M
Prosperity Dielectrics Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 2.2ohm, 50V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | FNF03LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFNF06LV-2R2-M
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 2.2ohm, 200V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HFNF06LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB211503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FLV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211503FLV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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50SLV2R2M4X6.1
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2.2uF, Surface Mount, CHIP, ROHS COMPLIANT | 50SLV2R2M4X6.1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB182503FL-V2-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB182503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB192503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB192503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB182503FLV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB182503FLV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FL-V2-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB211503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FNF06LV-2R2-M
Prosperity Dielectrics Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 2.2ohm, 200V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | FNF06LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FLV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB211803FLV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFNF12LV-2R2-M
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.333W, 2.2ohm, 200V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1210 | HFNF12LV-2R2-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FNF06LV-2R2
Prosperity Dielectrics Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 2.2ohm, 200V, 15% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | FNF06LV-2R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB212503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB212503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB182503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB182503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FLV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211803FLV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||