Showing 25 of 227 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMPM332FWUG
Toshiba
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1 | 1. ARM Cortex-M3 microprocessor corea. Improved code efficiency has been realized through the use of Thumb® -2 instruction.・ New 16-bit Thumb instructions for improved program flow・ New 32-bit Thumb instructions for improved performance・ New Thumb mixed 16-/32-bit instruction set can produce faster, more efficient code.b. Both high performance and low power consumption have been achieved.[High performance]・ A 32-bit multiplication (32×32=32 bit) can be executed with one clock.・ Division take | Quad Flat Packages | TMPM332FWUG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMPM332FWUG(C)
Toshiba
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1 | ARM Microcontrollers - MCU MCU w/ ARM Cortex-M3 128K FLASH, 8K SRAM | Quad Flat Packages | TMPM332FWUG(C) |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M332F0804BF0-L500
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, PDMA72 | M332F0804BF0-L500 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M332F0804AF0-L600
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, PDMA72 | M332F0804AF0-L600 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M332F0804BF0-L600
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, PDMA72 | M332F0804BF0-L600 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M332F0404BF0-L600
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, PDMA72 | M332F0404BF0-L600 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M332F0803BF0-L600
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, PDMA72 | M332F0803BF0-L600 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1812M332F500BT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1812 | 1812M332F500BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1812M332F250BT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1812 | 1812M332F250BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1812M332F250ET
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1812 | 1812M332F250ET |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP1505200PPM332%FTR0131E2
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 33ohm, 200V, 2% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1505, | HCHP1505200PPM332%FTR0131E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F400CS-L5
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS | KMM332F400CS-L5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1825M332F101ET
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1825 | 1825M332F101ET |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F803BS-L50
Samsung Electro-Mechanics
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1 | DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72 | KMM332F803BS-L50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F803AS-L5
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, PDMA72 | KMM332F803AS-L5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F124AT-L7
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS | KMM332F124AT-L7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UIS1608M-332FU
Elec & Eltek
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1 | General Purpose Inductor | UIS1608M-332FU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F404BZ-L5
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS | KMM332F404BZ-L5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1825M332F601ET
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 600V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1825 | 1825M332F601ET |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMPM332FWUG
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | RISC Microcontroller, 32-Bit, FLASH, CORTEX-M3 CPU, 40MHz, CMOS, PQFP64 | TMPM332FWUG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F224AT-L6
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS | KMM332F224AT-L6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KMM332F804AS-L5
Samsung Semiconductor
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1 | EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, PDMA72 | KMM332F804AS-L5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1808M332F160BT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 1808 | 1808M332F160BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CHP2010200PPM332%F0131E2
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 33ohm, 200V, 2% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 2010, | CHP2010200PPM332%F0131E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2225M332F160BT
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0033uF, Surface Mount, 2225 | 2225M332F160BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||