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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA600GQE-0000-P
Monolithic Power Systems (MPS)
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1 | Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors High-Accuracy 0.6 High-Bandwidth, Configurable Digital Magnetic Angle Sensor | Quad Flat No-Lead | MA600GQE-0000-P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA600GQE-0000-Z
Monolithic Power Systems
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1 | Magnetoresistive Sensor | MA600GQE-0000-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6008S10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6008S10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6001D10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6001D10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6004D10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6004D10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6003S10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6003S10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA600GQE-XXXX-Z
Monolithic Power Systems
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1 | Angle Sensor, 16 Pin | MA600GQE-XXXX-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA600GQE-XXXX-P
Monolithic Power Systems
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1 | Angle Sensor, 16 Pin | MA600GQE-XXXX-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6006D10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6006D10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6006M60000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6006M60000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6008D10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6008D10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6008K10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6008K10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6008G10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6008G10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6003P10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6003P10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6006B10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6006B10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6007K10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6007K10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6002
Micro Electronics Corporation
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1 | Transistor, | MA6002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6004F10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6004F10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6008U10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6008U10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6001S10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6001S10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6007D10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6007D10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6006P10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6006P10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6003
Micro Electronics Corporation
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1 | Transistor, | MA6003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6004S10000000
TXC Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MA6004S10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA6007S10000000
TXC Corporation
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1 | Transistor | MA6007S10000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||