Showing 25 of 49 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE243
Motorola
|
1 | Power Transistor | Other | MJE243 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243G
onsemi
|
1 | High Current Gain Bandwidth Product - fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc; High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40-200 hFE = 40-120 - MJE243, MJE253; Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB; High Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) MJE243, MJE253; Pb-Free Packages are Available | Transistor Outline, Vertical | MJE243G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE242
Texas Instruments
|
0 | MJE242 | MJE242 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE242
National Semiconductor Corporation
|
0 | Transistor | MJE242 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE241
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE241 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
Continental Device India Ltd
|
1 | Transistor | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE240
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE240 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE241
Texas Instruments
|
0 | MJE241 | MJE241 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE244
Texas Instruments
|
0 | MJE244 | MJE244 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE241
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE241 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE241
National Semiconductor Corporation
|
0 | Transistor | MJE241 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE244TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE244TIN/LEAD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243G
Rochester Electronics LLC
|
1 | 4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 77-09, TO-225, 3 PIN | MJE243G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE242
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE242 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE244
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126 | MJE244 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE242PBFREE
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE242PBFREE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
Advanced Semiconductor Inc
|
0 | Transistor | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
New Jersey Semiconductor Products Inc
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE240PBFREE
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE240PBFREE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE242TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE242TIN/LEAD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
Crimson Semiconductor Inc
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
Texas Instruments
|
1 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE243
National Semiconductor Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE243 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE244
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Transistor | MJE244 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MJE241TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
|
1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE241TIN/LEAD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||