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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MK046G
Fischer Elektronik GmbH & Co. KG
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1 | male header | Other | MK046G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MK046Z
Fischer Elektronik GmbH & Co. KG
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1 | male header | Other | MK046Z |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LMK04610RTQR
Texas Instruments
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1 | Ultra Low-Noise and Low Power JESD204B Compliant Clock Jitter Cleaner With Dual PLLs | Quad Flat No-Lead | LMK04610RTQR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LMK04616ZCRR
Texas Instruments
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1 | Ultra Low-Noise and Low Power JESD204B Compliant Clock Jitter Cleaner | BGA | LMK04616ZCRR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LMK04610RTQT
Texas Instruments
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1 | Clock Synthesizer / Jitter Cleaner Ultra Low-Noise and Low Power JESD204B Compliant Clock Jitter Cleaner With Dual PLLs 56-QFN -40 to 85 | Quad Flat No-Lead | LMK04610RTQT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LMK04616ZCRT
Texas Instruments
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1 | LMK04616 Ultra-Low Noise and Low Power JESD204B Compliant Clock Jitter Cleaner With Dual-Loop PLLs | BGA | LMK04616ZCRT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460FG
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0460FG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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667-362MK04-6
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory, Cover Item, Aluminum Alloy | 667-362MK04-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465IS
Kodenshi Sensing
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1 | 4A, 650V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | SMK0465IS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460I
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SMK0460I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460IS
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SMK0460IS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LMK04610RTQTG4
Texas Instruments
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1 | 2000MHz, CMOS, PQCC56 | LMK04610RTQTG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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667-356MK04-6
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory, Cover Item, Aluminum Alloy | 667-356MK04-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460FG
Kodenshi Sensing
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1 | POWER, FET | SMK0460FG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460D
Kodenshi Sensing
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SMK0460D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460P
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0460P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465FJ
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0465FJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460F
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0460F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465F(HF)
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0465F(HF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465FG
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0465FG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465F
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SMK0465F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465IS
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SMK0465IS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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667-357MK04-6
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory, Cover Item, Aluminum Alloy | 667-357MK04-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0460D
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SMK0460D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMK0465D
Kodenshi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SMK0465D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||