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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MS593-20S-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 5.7mm One-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield (Nickel-Silver) | MS593-20S-NS |
1
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MS593-10F
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 3mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield FRAME (CRS) | MS593-10F |
1
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MS593-10C
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.9 x 21.2 x 2.5mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield COVER (CRS) | MS593-10C |
1
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MS593-20C-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.9 x 21.2 x 3mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield COVER (Nickel-Silver) | MS593-20C-NS |
1
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MS593-10C-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.9 x 21.2 x 2.5mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield COVER (Nickel-Silver) | MS593-10C-NS |
1
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MS593-10F-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 3mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield FRAME (Nickel-Silver) | MS593-10F-NS |
1
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MS593-10S-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 3mm One-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield (Nickel-Silver) | MS593-10S-NS |
1
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MS593-20F-NS
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 5.7mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield FRAME (Nickel-Silver) | MS593-20F-NS |
1
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MS593-20C
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.9 x 21.2 x 3mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield COVER (CRS) | MS593-20C |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MS593-20F
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 5.7mm Two-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield FRAME (CRS) | MS593-20F |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MS593-20S
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 5.7mm One-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield (CRS) | MS593-20S |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MS593-10S
MASACH TECH LTD.
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1 | 59.3 x 20.6 x 3mm One-piece Drawn-Seamless RF Shield/EMI Shield (CRS) | MS593-10S |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593260SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.103ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593260SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593Z60PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593Z60PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593064
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593Z60PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593Z60PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593Z60
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593Z60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.103ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.103ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS593160SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS593160SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||