Showing 25 of 53 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111
Toshiba
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1 | RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini | Other | MT3S111 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111(TE85L,F)
Toshiba
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1 | TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 6 V, 100 mA, 160 mW, TO-236, Surface Mount | Other | MT3S111(TE85L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113TU,LF
Toshiba
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1 | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW | Other | MT3S113TU,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S11FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S11FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S16T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S16T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S16U
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S16U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111TU,LF(B
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S111TU,LF(B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S14FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S14FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S111P(TE12L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S12FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN | MT3S12FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111P
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S111P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S111(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19TU(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S19TU(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113P
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Bipolar Transistor | MT3S113P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S19(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19TU
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S19TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S16U(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S16U(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S14T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S14T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S15TU
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S15TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111P(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S111P(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113P(TE12LF)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Bipolar Transistor | MT3S113P(TE12LF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S107FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, K Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S107FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S16FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S16FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S113P(TE12L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111TU
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S111TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||