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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252 | MTD4N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20ET4
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D, DPAK-3 | MTD4N20E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E1
onsemi
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1 | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3 | MTD4N20E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20ET4
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA | MTD4N20ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E1
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3 | MTD4N20E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E-1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20E-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-251 | MTD4N20-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E-1
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3 | MTD4N20E-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA | MTD4N20E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E-T4
Motorola Mobility LLC
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1 | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | MTD4N20E-T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20E
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | MTD4N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | MTD4N20-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD4N20ET4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD4N20ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S203MT-D4NA
ABB Semiconductors
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1 | THERMAL MAGNETIC CIRCUIT BREAKER | S203MT-D4NA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S201MT-D4NA
ABB Semiconductors
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1 | THERMAL MAGNETIC CIRCUIT BREAKER | S201MT-D4NA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||